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第 231章 四位教授（第2页）

但是这个设备可能不是最先进的，巴统卡得太严。

“”可以，落后一至两代，是可以接受的。

“陈中天说。”

那行，这样更好。

“林国瑞教授说。”

好，下面来说手机，我在日本购买了小灵通技术，这是打擦边球，他实际是在固话上的基础上实现的。

我需要有人帮我消化这个技术。

“陈中天说。”

这个小灵通我知道，燕京有个叫斯达康的公司，在做这个，他们把PHS取了个中国名字叫‘小灵通’。

PHS是一种无线本地电话技术，采用2G通信。

这个PHS是日本那边的技术，你是买到了日本的技术授权了吧？

“林玟书教授问。”

是的，我现在就是要把这套技术与中国固话嫁接到一起，这是个擦边球，小灵通使用固话系统，可以绕开2G牌照。

斯达康公司的小灵通拿的就是固话牌照。

“陈中天答。

林玟书教授说，”恩，这个解决方法不复杂，只是需要时间，给我三个月，我就可以给你搞好。

“”好，下面就是高铁技术了。

高铁技术就比较多了，车头里面就有很多、线路、信号、通讯方面也有很多，但是我不懂，我只懂一个就是刚才提到的高铁技术里面的一个关键技术，大功率晶闸管，我一说林国瑞教授就能明白，可控硅，简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

美国的西门康、仙童等在1700V以下电压等级的消费IGBT领域，现在是处于世界优势地位的，但是更高电压的就不行了。

IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；我们要研究的就是最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压的IGBT芯片。

该技术将是国际领先水平。

每一列高铁大约用到3000～5000个芯片，铺列开来有1平方米的面积，处理的是兆瓦级功率，一个芯片失效会导致高铁故障。

无论轨道交通，还是新能源、工业变频，都高度依赖这个东西。”

林国瑞教授说，“我明白了，由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

卧槽，陈中天你真专业，你连这么专业的领域都懂。

你不仅仅是互联网领域的专家，靠，难怪斯坦福大学聘请你作教授。

你简直就是天才。

佩服，太佩服你了。”