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第四百一十章 SiGe BiCMOS（第1页）

三天的闭门会谈过后，双方一直决定，开阳半导体接受来自苏联首批五十位技术人员的访问学习。

并且这五十人也是有要求，必须要从苏联各大半导体电子产业相关单位分别抽调，来自同一家单位的技术人员不能超过五人以上，这是最基本要求。

闭门会谈过后，双方进入到第二轮高峰论坛，就软件开发、半导体无线通讯等领域展开互相了解，增进双方技术互信。

孟怀英这时候终于能够抽出时间，之前她都在CMOS无线射频芯片的设计方面埋头工作，经过为期三年时间的艰苦攻关，这才初步解决CMOS射频芯片所存在的问题。

用于中文传呼机使用的射频芯片设计已经全面冻结，正准备交付工艺部门进行产品批产工艺相关设计。

CMOS射频芯片和CMOS光学传感器的影响力大致差不多，都是能够对某一行业产生巨大变革的技术，孟怀英现在很自信，他可以站在中苏半导体集成电路高峰论坛上，尽情地演讲自己科研成果。

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然而并不是所有人都看好CMOS射频芯片，至少在来自苏联的代表团当中，便有一位莫斯科国立特种工程设计院的大佬，人家是专门研究无线通讯这方面，目前属于全球顶尖梯队。

世界上最先发明无线电话的，实际并非美国人，早在1957年，苏联工程师列昂尼德。库普里扬诺维奇发明了ЛК-1移动电话。

1958年，列昂尼德。库普里扬诺维奇对移动电话做了进一步改进，设备重量从3公斤减轻至500克（含电池重量），外形精简至两个香烟盒大小，可向城市里的任何地方进行拨打，可接通任意一个固定电话。到60年中期，库普里扬诺维奇的移动电话已能够在200公里范围内有效工作。

苏联大规模普及的移动通讯设备称之为“阿尔泰”，在布鲁塞尔世博会上获得金奖，到1970年，“阿尔泰”系统已在30多个城市中为人们普及，比起美国人确实要强了太多。

国内有庞大的无线通讯市场，苏联在移动电话领域走在世界最前沿，人家有资格提出疑问。

“这位女士，既然你从事射频芯片研发，并且也提到要将射频芯片主要服务于无线通讯市场，那么我有一个问题很疑惑，CMOS射频芯片功率过低的问题，您要如何解决？”

毛子说话很直接，直接提到当前最不好解决的问题上，而这同样也是国际难题。

如同当年白斯文教授开发CMOS光学传感器过程中遇到暗电流噪声问题一样，后来教授通过一系列工艺设计来巧妙解决，并最终推出高性价比的CMOS光学传感器，从此一举奠定学术大牛地位。

现如今，孟怀英开发CMOS射频芯片，也遇到学术界公认的固有缺陷：功率过低。

“基于CMOS工艺来研发射频芯片，固有问题在于功率过小，它确实无法和同时期的砷化镓射频芯片相比，目前横亘在全世界科研界面前头等难题便在于此，不过我们团队成功开发出一次CMOS混合结构，从而能够解决功率过小问题，使其可以初步满足中低功率微波射频所需。”

所谓CMOS混合结构，实际就是SiGeBiCMOS工艺，中文全称为：硅锗双极-互补金属氧化物半导体，这东西在功率上面相对还算勉强能接受，并且还完美继承CMOS工艺加工流程，成本也足够低廉，是一种很不错的半导体射频工艺技术。

SiGeBiCMOS工艺产品性能优点在于成本低，并且功率相对不错，甚至在2000年之后的相控阵雷达大爆发时代，一些不法分子以次充好，为了降低成本，便采用SiGeBiCMOS工艺TR组件来制造相控阵雷达。

好吧，这只是开个玩笑而已，采用采用SiGeBiCMOS工艺制造的TR组件功耗低、成本低、集成度高，被广泛用于TR组件小型化和成本控制方面，其中以X波段相控阵雷达最有使用价值。

SiGeBiCMOS工艺的TR组件不仅适用于X波段相控阵空天预警雷达，在Ka波段的TR组件方面，因为集成度高、体积小，因此被运用于主动雷达导引头。

所谓主动雷达导引头，区别就在于美帝的AIM-7麻雀家族和AIM-120阿姆拉姆之间，前者因为导引头研发时代的工艺水平限制，无法容纳雷达发射机及接收机，即便勉强上马，这种导引头最终也只能用于AIM-54上面。

直到固态电子及集成电路出现，雷达组件可以有望实现小型化，才在空空导弹内实现雷达波的发射及接收一手包办，而这便是主动雷达导引头的作用。

美帝有了小型化的主动雷达导引头，所以搞出AIM-120这种神器，而共和国现在却只能捣鼓AIM-7家族改进而来的半主动雷达导引头：霹雳11。