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第四百一十章 SiGe BiCMOS（第2页）

这两种导弹之间有巨大地差距，要说这种代差，大概跟三代机与四代隐身机之间差不多，完全是吊打。

所以嘛。。。。

有的时候，军用和民用之间差距真的很小，孟怀英原本只是为了实现CMOS射频芯片功率大，才弄出SiGeBiCMOS工艺，却没想到她搞出来的技术拥有非常广阔地军用前景。

在孟怀英的SiGeBiCMOS工艺成功之际，由于当时射频芯片在607所的微波暗室进行测试，结果出来之后，便被607所大神们敏锐地发现其军用价值，这时候甚至都已经开始组件团队基于该技术开发相控阵主动雷达导引头。

主动雷达导引头发展历中，实际也并非一步到位的直接进入到相控阵雷达时代。

九十年代的主动雷达导引头并不是相控阵体制，那时候是传统的“机扫-平板缝隙天线”雷达小型化而来，包括美国AIM-120、欧洲流星，以上这些皆如此。

相控阵主动雷达导引头，那都是在2000年之后才有所抬头，此时的砷化镓TR组件小型化逐渐成熟，又是小日本最先吃螃蟹，他们研制于2002年AAM-4B中距弹就采用相控阵主动导引头。

AAM-4B采用有源相控阵主动导引头，能够提高探测距离、抗干扰、在对一些雷达隐身目标的探测能力也还不错，这实用化速度甚至比他美爹都来的更快。

现在九十年代初期，607所要准备上马相控阵雷达主动导引头，汪正国也能表示：你们高兴便好。

上位面之所以是在2000年之后才开始有主动相控阵雷达头，是因为早期“机扫-平板缝隙天线”主动导引头发展足够成熟，毕竟那是美帝AIM-120证明过的道路，后来者也都争相效仿。

再有一点，砷化镓TR组件的小型化一直到2000年之后才逐渐成熟，并且还要把成本控制下去，否则又如何能用于空空导弹这种一次性产品中。

至于现在，随着孟怀英提出SiGeBiCMOS工艺，一次性解决了生产成本和小型化两个问题，唯一不足之处是功率方面还是比不上砷化镓TR组件。

但很多问题都要一分为二的看待，如果不和砷化镓TR组件去比功率，转而和同时期的AIM-120、流星这些采用“机扫-平板缝隙天线”导引头相比，这两者功率其实相差不大。

国内目前才刚把半主动雷达导引头的课补上，主动雷达导引头技术完全还没想过，更不用说从别处去找技术参考。

607所在相控阵雷达上面有技术积累，现在正好找到比较合适的新型半导体工艺来生产适用于弹载导引头的TR组件，那为什么不能直接走相控路线？

随着国内半导体加工精度不断提高，采用SiGeBiCMOS工艺制造的TR组件也会进一步增加功率，纵然无法跟采用砷化镓TR组件的主动雷达导引头相比，但只要能和同期一票“机扫-平板缝隙天线”持平便够了，况且SiGeBiCMOS工艺制造的TR组件成本也能够得到有效控制。

只要拿出的产品性能可以和同时期国际水平相当，价格不比它们贵，至于采用什么技术路线，这有太大关系吗？

霹雳11导弹被魔都航天局这个航天口单位抢走，自此以后，航空系统内部就断了中距弹项目，如果607所能率先搞出主动雷达导引头，相信以航空口的魄力，还不得马上全力支持，必须夺回中距空空弹市场，毕竟国内最强大的空空导弹研制力量依旧还是在航空口。

至于魔都航天局，那不过是正好趁着霹雳11项目引进意大利技术而弄出来的项目，顶多是半路出家，而能生产空空导弹和能研制空空导弹，这是完全是不同概念。

按照607那边所言，他们已经联合014空空导弹研究院，双方打算开始对下一代中距离空空导弹项目展开预研，准备弄一款能同美制AIM120对抗的大家伙出来，彻底将魔都航天口妄想把爪子伸进空空导弹领域的邪念斩断。

有关607所和空空导弹研究院的野望，这并不是汪正国所关心，孟怀英虽然隐约猜到607所得到SiGeBiCMOS工艺技术之后会将其用于军工，但还是把工艺资料复制转交一份，得到607所承诺1500万人民币技术引进资金。

没办法，现在607所民品项目大火，为瑶光电子配套的电脑主板性能也不错，价格公道，每年盈利上亿，现在可是中航系统内数得着的土豪。

有了第一笔收益，CMOS射频芯片项目部可谓兴高采烈，孟怀英除了拿出50万奖励研发团队，所余资金则是再次被投入项目科研中。